В работе представлена математическая обработка экспериментальных данных по составу эпитаксиальных слоев InGaAsP, выращенных в 000 Сигм Плюс методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP диаметром 2 дюйма. Рост проводился при пониженном давлении (Торр) и температуре 620-660С на установке СИГМОС-130 с горизонтально расположенным кварцевым реактором и вращающемся графитовым подложкодержателем. Исследованные эпитаксиальные слои толщиной 0,3-0,4 мкм входили в состав гетероструктур InPInGaAsPInP, предназначенных для изготовления лазерных диодов. Состав эпитаксиальных слоев определялся по данным рентгеновских исследований и анализа пиков фотолюминесценции. Были исследованы зависимости состава эпитаксиальных слоев от соотношения компонентов в газовой фазе при различных температурах. Проанализировано влияние эффекта стабилизации состава слоев при различной величине рассогласования параметров кристаллической решетки сопрягаемых элементов гетероструктуры. В результате обработки экспериментальных данных были определены зависимости состава эпитаксиальных слоев от состава газовой фазы для различных соотношений элементов I и V групп. На основе гипотезы о линейном характере этих зависимостей определены коэффициенты линейности, Полученные значения этих коэффициентов для элементов I группы равны 1,5-2,5, а для элементов V группы 12-13.

Исследование оптических свойств пленок CdS, осажденных на пористый оксид алюминия

Тонкие пленки являются основой в современной электронике. Даже сложные приборные структуры состоят из тонких пленок, осажденных одна на другую. Тонкие пленки могут быть сформированы разными путями) легированием из расплавов и газовых фаз;) путем диффузии примеси из внешних слоев;) методом ионной имплантации;) путем проведения ядерных реакций в объеме полупроводника под влиянием излучения. Одним из таких методов является метод осаждения тонких пленок Succesive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR-method. Силар основан на последовательных реакциях на границе раздела подложка-раствор, его преимуществом является дешевизна и технологическая простота. Процесс разделен на этапы. адсорбция катионных комплексов на поверхность и формирование электрического двойного слоя. промывка. реакция катионных и анионных комплексов с образованием искомого вещества. промывка. В данной статье исследовались оптические свойства структуры CdS осажденной на пористый оксид алюминия. Установлена линейная зависимость показателя преломления от числа циклов наслаиваний, что смогло показать однородность наслаивания пленки полупроводника для используемой технологии. Выявили явление двойного лучепреломления, что говорит полученные пленки имеют кристаллическую структуру. Получены и исследованы пленки SnS, ZnS, PbS. Исследуемые материалы принадлежат к фотоэлектрическим материалам, которые сейчас широко используются повсеместно, поэтому исследование их оптических свойств имеет обоснованный научный интерес.

Исследование осаждения меди на золото с помощью электрохимического СТМ

В данной статье рассмотрены возможно сти прибора компании NT-MDT Solver PRO Электра Химия. Прибор позволяет работать в СТМ режиме непосредственно в растворах электролитов. Главная особенность использования СЗМ в растворах электролитов, в отличие от работы на воздухе или в вакууме, состоит в том, что состояние границы раздела твердое тело - жидкость (а именно эта поверхность является предметом изучения или модификации) не является статическим. Состав и структура переходного слоя зависят от природы и структуры подложки, заряда и потенциала поверхности, состава электролита, температуры, режима перемешивания раствора, присутствия следовых количеств примесей. Кроме того, это состояние только в отдельных случаях можно рассматривать в качестве стабильного во времени, обычно на поверхности электрода протекают электрохимические реакции, сопровождающиеся изменениями структуры, состава иили морфологии границы раздела. Термином электрод электрохимики называют любое проводящее твердое (металлы, углеродные материалы, полупроводники, проводящие полимеры) или жидкое (ртуть, галлий, амальгамы) тело в растворе электролита. Рассмотренные в работе примеры исследований структуры поверхности электродов, адсорбционных слоев и фазовых осадков убедительно показывают, что in situ туннельная и атомно-силовая микроскопия является мощным инструментом для изучения нанообъектов. Однако СЗМ не может обойтись без использования традиционных электрохимических методов (циклическая вольтамперометрия, кулонометрия и др) с соблюдением необходимых требований по чистоте эксперимента и подготовке объектов исследования. Только всесторонние комплексные исследования позволяют с высокой степенью достоверности делать корректные выводы о механизме процесса и влиянии на него различных факторов.

Изучение структурных свойств жидкого теллурида кадмия в точке плавления и при переохлаждении методом молекулярной динамики

Теллурия кадмия является объектом большого количества экспериментальных и теоретических исследований последних десятилетий. Он остается интересным для исследователей из-за недостатка полного понимания его физических свойств в конденсированной фазе. Высокая температура плавления теллурида кадмия является серьезным препятствием для точного экспериментального изучения его свойств. Поэтому, определение структурных свойств распостается сложной задачей. В настоящей работе представлены теоретические исследования структурных свойств жидкого теллурида кадмия при переохлаждении в интервале температур 1365К-800К методом молекулярной динамики. Для описания межчастичного взаимодействия применялся эмпирический потенциал типа Стиллинджера-Вебера, т.к. он является наиболее выгодным с точки зрения предсказания ковалентного типа межатомной связи. Рассчитанные структурные характеристики жидкого теллурида кадмия хорошо согласуются, с одной стороны, с экспериментальными данными в точке плавления, а, с другой стороны, с теоретическими исследованиями из первых принципов в точке плавления и при переохлаждении. Обнаружено, что в жидком CdTe сохраняется тетраэдрическое атомное окружение с координационным числом равным 4 и при переохлаждении оно практически не меняется. При анализе статических снимков структурного расположения атомов CdTe найдены кластеры атомов Те цепочечного типа. В переохлажденном состоянии системы цепочки Те довольно простые и короткие. С увеличением температуры до точки плавления они становятся нерегулярными и закрученными. Количество атомов Те в таких цепочках может достигать до 8. Таким образом, можно сделать вывод, что подобно элементарной жидкой фазе атомы Те формируют цепочечную структуру и в жидком теллуриде кадмия.

Исследование функциональных возможно стей программы анализа паразитных эффектов печатных плат P-CAD Signal Integrity

P-CAD Signal Integrity был специально создан для моделирования печатных плат и используется проектировщиками при работе с P-CAD РСВ. P-CAD Signal Integrity основан на базе быстрого симулятора отражения и наводок (Fast Reflection and Crosstalk Simulator), который генерирует точные модели с помощью проверенных на предприятиях алгоритмов. С помощью P-CAD Signal Integrity можно а) проверить многослойные платы на предмет шумов, таких как звон, перекрестные помехи или наводки, б) проанализировать целостность сигналов. Особенности P-CAD Signal Integrity автоматически встраивается в P-CAD РСВ, производит быстрый расчет эффектов наводки и отражения сигнала, не требует от пользователя дополнительных навыков по моделированию и использует надежные проверенные алгоритмы вычисления характеристик линий передачи. Задачей моего исследования является а) подобрать наиболее критичные исходные данные (типы и параметры тестового сигнала и параметры расчета переходных процессов, выбрать электрические цепи для анализа и ширину и длину параллельных трасс и расстояние между ними), б) провести анализ целостности сигналов, в) по результатам исследований построить и зависимостей числовых показателей рассогласований нагрузок и взаимных наводок от входных данных, выдать практические рекомендации для показателей стратегии трассировки печатных плат в зависимости от исследованных параметров моделирования.

Методы повения точности и быстродействия табличных моделей МОП-транзисторов

Современные точные аналитические модели МОП транзисторов в силу своей сложности значительно замедляют процесс схемотехнического моделирования. Альтернативой аналитическим моделям выступают, построенные на их основе, табличные модели. Использование данных позволяет существенно сократить время обращения к модели - в десятки раз. Такое ускорение достигается за счет того, что не надо вычислять все уравнения модели на каждой итерации численного алгоритма. Недостатком является снижение точности моделирования и увеличение объемов памяти. Использование сплайн-интерполяции функций между узлами позволяет существенно повысить точность в сравнении с кусочно-линейной аппроксимацией. А повение точности в свою очередь позволяет использовать более грубую дискретизацию , тем самым, экономя память. Однако сплайн-интерполяция функций требует хранения в каждой ячейке нескольких коэффициентов, что увеличивает расходы памяти в разы. Для уменьшения расходов памяти и повения быстродействия табличных моделей предлагаются следующие методы Вместо использования для каждого элемента схемы можно заводить только для тех транзисторов, чьи параметры отличаются. В большинстве схемотехнических решений напряжение Vbs транзистора зачастую равно нулю. Такие транзисторы можно отслеживать при инициализации моделирования. И вместо трехмерной применять двухмерную. При поиске нужной ячейки необходимо применять оптимально сбалансированное бинарное дерево поиска. Это существенно ускорит быстродействие табличной модели, поскольку более 90 времени обращения к тратится на поиск нужной ячейки.

• Google обновил документацию и руководство для вебмастеров по перемещению сайта
• Линии электропередач будут проверять дроны
• Разновидности браузерных игр
• Размещение бесплатных объявлений в интернете
• Насколько важна каждая мелочь в торговом бизнесе